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MSKSEMI PESD系列優(yōu)勢(shì) 1、電性能 低漏電流(<10nA)，低電容值(0.05pF)，快速的響應(yīng)時(shí)間(<1ns)。 2、封裝類型 0201、0402、0603、2510。 3、獨(dú)特的生產(chǎn)工藝 非半導(dǎo)體工藝，非多層陶瓷結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)周期短。 4、采用自有高性能材料 獨(dú)家專有高分子材料，保證器件的高可靠性。 5、更好的供貨特性 器件規(guī)格統(tǒng)壹，交貨時(shí)間短，便於備貨，減少供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。

MSKSEMI ESD防靜電保護(hù)管系列： ESD 靜電保護(hù)元件，又稱靜電抑制二極管。ESD 是多個(gè) TVS 晶?；蚨O管采用不同的布局做成具有特 定功能的多路或單路 ESD 保護(hù)器件， 主要應(yīng)用於各類通信接口靜電保護(hù)，如 USB、HDMI、RS485、 RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD 等；ESD器件封裝多樣化!

MSKSEMI TVS瞬態(tài)抑制二極管 TVS的電路符號(hào)與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同;反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過(guò)TVS的電流，由原來(lái)的反向漏電流ID上升到IR時(shí)，其 兩極呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn)，流過(guò)TVS的電流達(dá)到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預(yù)定的最大箝位電壓以下。 然後，隨著脈沖電流按指數(shù)衰減，TVS兩極的電壓也不斷下降，最後恢復(fù)到起始狀態(tài)。

MSKSEMI MOS管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，屬於三級(jí)管的壹種，縮寫 MOS 或者 FET，MOS 有 G，S，D 三個(gè)腳位， MOSFET 按電流方向分有 N 型和 P 型(N 溝道和 P 溝道) MSKSEMI MOS管具有以下特點(diǎn)：開關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無(wú)二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等；其最重要的有點(diǎn)就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計(jì)者壹種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件；在各類中小功率開關(guān)電路中應(yīng)用極為廣泛。